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射频晶体管

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AFT09H310-03SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
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库存:35,140(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥1,030.3453
154551.795
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
零件号别名
935324687128
单位重量
8.547 g
商品其它信息
优势价格,AFT09H310-03SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:36774
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700H-1090/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:36779
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:71928
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:36786
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP
1:¥1,916.2314
10:¥1,692.0959
25:¥1,535.2632
50:¥1,439.9816
参考库存:3375
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    50万现货SKU

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