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射频晶体管
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PTFB183404F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB183404F-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA263202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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50:¥1,866.1385
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100:¥247.8881
250:¥243.6619
参考库存:37000
MRF9045LR1
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1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:3539
D1218UK
Semelab / TT Electronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
1:¥1,074.8334
10:¥949.1322
25:¥842.2455
50:¥798.2094
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VRF141
Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3871

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