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射频晶体管
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AFT31150NR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
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数量单价合计
1
¥1,566.5416
1566.5416
5
¥1,531.5794
7657.897
10
¥1,500.2219
15002.219
25
¥1,478.0965
36952.4125
50
¥1,424.3876
71219.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2700 MHz to 3100 MHz
系列
AFT31150N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
741 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935346512578
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,AFT31150NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
参考库存:38183
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1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:22337
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥15.142
10:¥13.9103
25:¥12.5995
100:¥11.3678
1,000:¥8.5315
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50:¥279.3925
100:¥270.1717
250:¥265.5613
参考库存:38197
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