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射频晶体管
BFG35,115参考图片

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BFG35,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.989
598.9
500
¥5.2997
2649.85
1,000
¥4.181
4181
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
工作频率
4000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.7 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
4000 MHz
最大直流电集电极电流
0.15 A
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
933919910115
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BFG35,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
T1G4004532-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:3429
GTVA104001FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
1:¥4,191.7802
50:¥4,191.7802
参考库存:3496
CG2H80015D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
暂无价格
参考库存:36764
MRF24301HSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS/CFM2F///REEL 13
50:¥664.892
100:¥618.336
参考库存:36769
AGR26125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:36774

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    50万现货SKU

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