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射频晶体管
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TGF2080

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
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数量单价合计
100
¥74.8399
7483.99
300
¥69.9244
20977.32
500
¥65.3931
32696.55
1,000
¥61.0878
61087.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
259 mA
最大漏极/栅极电压
- 12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
12 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
309 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
29.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098414
商品其它信息
优势价格，TGF2080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 410 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:19737
SD1477
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:38495
CG2H30070F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:38500
MRFE6VP6600NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥642.3033
参考库存:38505
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:38510

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