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射频晶体管
AFIC31025GNR1参考图片

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AFIC31025GNR1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
500
¥283.4605
141730.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
31.9 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270WBG-17
封装
Reel
工作频率
2400 MHz to 3100 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935343961528
单位重量
598.100 mg
商品其它信息
优势价格，AFIC31025GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT21S232SR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:39531
BFU550VL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥1.04525
20,000:¥0.9831
50,000:¥0.9605
参考库存:39536
PTVA104501EH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:39541
GTVA220701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥878.2021
参考库存:39546
CGH40006S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:8120

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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