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射频晶体管
BFP 410 H6327参考图片

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BFP 410 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP410
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
25 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP410H6327XTSA1 BFP41H6327XT SP000762244
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 410 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥45.4147
10:¥37.1883
25:¥33.0412
50:¥29.7416
参考库存:4904
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.79891
参考库存:32611
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:37894
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:118248
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
5:¥2,767.1666
参考库存:37901
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    50万现货SKU

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