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射频晶体管
PTVA123501EC-V2-R0参考图片

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PTVA123501EC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥3,941.1236
197056.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
150 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17 dB
输出功率
350 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.35 V
商品其它信息
优势价格,PTVA123501EC-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥3,941.1236
参考库存:35584
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:35589
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:35594
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,791.3582
参考库存:35599
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.5255
参考库存:61983
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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