图片 | 型号 | 制造商 | 分类 | 数据手册 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 |
|
|
|
射频晶体管
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
|
3,000:¥49.7878
|
参考库存:36037
|
|
|
|
射频晶体管
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
|
1:¥1,118.9486 2:¥1,092.0546 5:¥1,076.0651 10:¥1,060.8553
|
参考库存:2576
|
|
|
|
射频晶体管
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
|
1:¥88.2869 10:¥79.7554 25:¥69.5402 100:¥66.0824 1,000:¥48.6352
|
参考库存:5143
|
|
|
|
射频晶体管
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
|
250:¥892.8808
|
参考库存:36046
|
|
|
|
射频晶体管
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST
|
1:¥577.8368 5:¥567.1583 10:¥552.5587 25:¥541.6429
|
参考库存:2785
|