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射频晶体管
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BF510,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最大漏极/栅极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
0.0001 S
闸/源截止电压
0.8 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933505270215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF510,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1308HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:37501
ARRAYX-BOB6-64S-GEVK
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 C/J-ARRAY 6MM 8X8 SUM BOB
1:¥3,587.0494
参考库存:4020
SD3932
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,246.729
5:¥1,216.7614
10:¥1,186.4887
25:¥1,169.889
参考库存:37508
MMRF1005HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V
50:¥2,004.5974
参考库存:37513
SD2931-10W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:4797

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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