您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
BFR193FH6327XTSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BFR193FH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:17,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2713
22.713
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.68365
2050.95
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193
技术
Si
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
193F BFR BFR193FH6327XT H6327 SP000750424
商品其它信息
优势价格,BFR193FH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
参考库存:32466
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
500:¥312.8179
参考库存:36584
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
1:¥862.0657
参考库存:4423
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥427.0044
参考库存:36591
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
1:¥343.859
250:¥343.859
参考库存:5975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们