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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TPV596	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥599.352 10:¥499.46 25:¥449.514 50:¥399.568	参考库存:36673
BFU530XRVL	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	10,000:¥0.9379 20,000:¥0.89157 50,000:¥0.86784 100,000:¥0.83733	参考库存:36678
QPD1823	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V	250:¥623.3306	参考库存:36683
MRF8P9300HSR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS	150:¥1,610.4873	参考库存:36688
QPD1016	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor	1:¥4,425.984	参考库存:36693