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射频晶体管
AFT18S290-13SR3参考图片

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AFT18S290-13SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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数量单价合计
250
¥908.1697
227042.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-880XS-2L4S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1995 MHz
系列
AFT18S290_13S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
263 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935317893128
单位重量
9.734 g
商品其它信息
优势价格，AFT18S290-13SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS17PE6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:389301
DSC2G02C0L
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:39034
SD2941-10W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
1:¥607.9626
5:¥596.7417
10:¥581.2946
25:¥569.9268
参考库存:5728
PTFB213004F-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:39041
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
1:¥3.9211
10:¥2.2713
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.68365
参考库存:20785

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    50万现货SKU

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