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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BLF177	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥737.664 10:¥614.72 25:¥553.248 50:¥491.776	参考库存:5236
MRF1K50N-TF1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF1/HWONLY///BOARDS NO MARK	1:¥10,502.107 5:¥10,423.8884	参考库存:4773
ASMA201	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm	1:¥587.826 10:¥539.4168 25:¥484.092 50:¥428.7672 100:¥358.3004	参考库存:38286
AFT09S200W02GNR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V	250:¥650.2924	参考库存:38291
MRFE6VP61K25HR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H	1:¥1,342.553 5:¥1,312.6532 10:¥1,285.8383 25:¥1,266.8656 150:¥1,220.9085	参考库存:6385