您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
STAC150V2-350E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

STAC150V2-350E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:35,574(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥756.874
756.874
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 uA
Vds-漏源极击穿电压
700 V
增益
17 dB
输出功率
500 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
40.68 MHz
系列
STAC150V2-350E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC150V2-350E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14
1:¥45.6407
10:¥41.2676
50:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:7632
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,885.5745
2:¥1,840.2389
5:¥1,813.2658
10:¥1,787.6035
参考库存:36150
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
1:¥4,072.52
25:¥3,672.952
参考库存:2694
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:103751
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:36159
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们