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射频晶体管
STAC150V2-350E参考图片

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STAC150V2-350E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 uA
Vds-漏源极击穿电压
700 V
增益
17 dB
输出功率
500 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
40.68 MHz
系列
STAC150V2-350E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC150V2-350E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.5704
100:¥95.9709
1,000:¥75.9925
参考库存:18023
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
90:¥1,071.3078
参考库存:36886
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
1:¥1,536.6418
10:¥1,353.9208
25:¥1,229.3609
50:¥1,079.828
参考库存:36891
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon germanium RF trans
1:¥2.9154
10:¥2.3391
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.60681
参考库存:86125
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:3632
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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