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射频晶体管
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MMBF5485

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2035
22.035
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
10 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
MMBF5485
类型
JFET
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.0035 S to 0.007 S
闸/源截止电压
- 4 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBF5485的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T27S007NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
参考库存:39597
MMRF1013HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
50:¥2,614.7861
参考库存:39602
ASMA203
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:39607
PTAC260302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:39612
PXAC201602FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:39617

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