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射频晶体管

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AFT09S200W02GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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数量单价合计
250
¥650.2924
162573.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935320369528
单位重量
3.197 g
商品其它信息
优势价格，AFT09S200W02GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF275G
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
1:¥1,103.8857
10:¥1,041.408
参考库存:1251
MMRF1018NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥388.2002
参考库存:34759
VRF2933
Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1423
AFT21S140W02GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:34766
PXAC203302FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:34771

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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