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射频晶体管
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VRF2933

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥860.608
860.608
2
¥833.8722
1667.7444
5
¥833.6349
4168.1745
10
¥806.7409
8067.409
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
42 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
25 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格，VRF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC201602FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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250:¥597.1259
参考库存:38223
JANTX2N2857/TR
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100:¥158.9797
200:¥145.9169
500:¥138.8544
参考库存:38228
AGR18060EF
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
1:¥783.768
5:¥719.2224
10:¥645.456
25:¥571.6896
参考库存:38233
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100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:6722
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:7209

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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