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射频晶体管
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PRF947,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5199
25.199
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.01474
3044.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
10 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
0.05 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
50
高度
1 mm
长度
2.2 mm
工作频率
8500 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
8500 MHz
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934043080115
单位重量
5.600 mg
商品其它信息
优势价格，PRF947,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MDS1100
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:37447
PXAC203302FV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,121.864
参考库存:37452
PTVA120501EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥640.4614
50:¥640.4614
参考库存:37457
D1028UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 300W-28V-175MHz PP
1:¥1,820.4187
10:¥1,600.7354
25:¥1,454.2761
50:¥1,276.3915
参考库存:37462
AFT21S232SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
250:¥714.838
参考库存:37467

  • 海量现货

    50万现货SKU

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