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射频晶体管
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HFA3096BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
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库存：9,782(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.4664
62.4664
10
¥56.4774
564.774
25
¥53.8671
1346.6775
100
¥46.7142
4671.42
2,500
¥34.1147
85286.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3096
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN/PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V at NPN, 20 at 10 mA at 2 V at PNP
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8 GHz, 5.5 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，HFA3096BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2018
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
100:¥44.7932
300:¥41.8778
500:¥39.1093
1,000:¥36.5781
2,500:¥36.4199
参考库存:2913
CGHV59350F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
暂无价格
参考库存:35431
SD57060
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp
1:¥636.2352
5:¥624.551
10:¥596.5044
25:¥576.6051
参考库存:1940
NESG2101M05-EVPW24-A
Renesas Electronics
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator
暂无价格
参考库存:35438
D2218UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥350.8537
100:¥345.4749
250:¥337.4067
参考库存:35443

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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