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射频晶体管
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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格，TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVF4020SG4T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 150MA 8V FT=16G
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:35709
PD84010-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
参考库存:36402
A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:36407
T1G4004532-FL
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
参考库存:2981
STAC3932B
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:36414

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    50万现货SKU

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