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射频晶体管
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STAC3932B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
24.6 dB
输出功率
580 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC-244B
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
高度
5.33 mm
长度
34.04 mm
工作频率
250 MHz
系列
STAC3932B
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.78 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S to 5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格，STAC3932B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T21H456W23SR6
NXP Semiconductors
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150:¥911.0964
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1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
200:¥245.888
参考库存:35903
TLC6C5716EVM
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1:¥1,392.1826
参考库存:2437
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1:¥2,209.2291
5:¥2,175.2613
10:¥2,142.9094
25:¥2,096.6585
50:¥2,064.4648
参考库存:35910
MRF6V3090NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:35915

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    50万现货SKU

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