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射频晶体管

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MRFE6S9125NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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数量单价合计
500
¥487.3238
243661.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935309651528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6S9125NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
参考库存:33884
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:4391
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:37399
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
6,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
参考库存:37404
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:37409
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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