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射频晶体管
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MMRF1312HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50
¥4,073.6726
203683.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 112 V
增益
19.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S-4
封装
Reel
工作频率
900 MHz to 1.215 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.053 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316216178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格，MMRF1312HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TH430
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥636.8454
10:¥584.3682
25:¥524.433
50:¥464.4978
参考库存:6547
MRF8P20165WHR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
250:¥811.9728
参考库存:39790
MMBT2907A-HF
Comchip Technology
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 60V 0.6A SOT-23
1:¥1.8419
10:¥1.1978
100:¥0.54579
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:39795
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:35069
BFP182RE7764HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
9,000:¥0.84524
24,000:¥0.77631
45,000:¥0.7458
99,000:¥0.71416
参考库存:39802

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    50万现货SKU

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