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射频晶体管
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DRF1200

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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1
¥1,118.9486
1118.9486
2
¥1,092.0546
2184.1092
5
¥1,076.0651
5380.3255
10
¥1,060.8553
10608.553
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
封装
Box
配置
Inverting, Non-Inverting
高度
0.3 mm
长度
1.5 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
1 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
2.5 ns
Pd-功率耗散
624 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，DRF1200的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:5518
W2SW0016-SHLD
Wi2Wi
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WiFi / 802.11 Development Tools Shield for W2CBW0016 Module
暂无价格
参考库存:38621
PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
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MRF6V14300HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,305.2791
5:¥2,269.7745
10:¥2,236.044
25:¥2,187.793
50:¥2,154.1303
参考库存:38636

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    50万现货SKU

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