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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	16.2 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	90 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 3.8 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	QPD0060PCB4B01
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1131037

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD84006-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic	1:¥115.9493 10:¥106.5816 25:¥102.1972 100:¥90.061	参考库存:4413
BFR 93AW H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2148 100:¥1.1978 1,000:¥0.89948 3,000:¥0.77631 9,000:¥0.72998	参考库存:89605
ARF468AG	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥372.7531 2:¥362.6057 5:¥352.5374 10:¥342.4804	参考库存:2552
PD55008S-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	1:¥120.7179 10:¥110.9547 25:¥106.3443 100:¥93.7448 250:¥89.1344	参考库存:3439
MRF1518NT1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N	1:¥83.0663 10:¥76.3767 25:¥72.998 100:¥64.5456 1,000:¥51.0986	参考库存:6386