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射频晶体管
BFR 93AW H6327参考图片

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BFR 93AW H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:89,605(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR93
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
90 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
90 mA
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR93AWH6327XT BFR93AWH6327XTSA1 SP000734402
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 93AW H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
参考库存:34726
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA
1:¥5.0737
10:¥4.5426
25:¥4.0906
100:¥3.5934
10,000:¥1.7741
参考库存:48685
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:34733
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-175MHz SE
50:¥634.7775
100:¥617.2512
参考库存:34738
IDT
射频晶体管
射频开发工具 BEAMFORMING DEVELOP KIT
暂无价格
参考库存:34743
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