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射频晶体管
BF861B,235参考图片

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BF861B,235

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 15mA
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1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.5426
45.426
25
¥4.0906
102.265
100
¥3.5934
359.34
10,000
¥1.7741
17741
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
15 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
系列
BF861
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
闸/源截止电压
1.5 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934034350235
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF861B,235的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:36499
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:36504
PTFC262157FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥945.6744
参考库存:36509
MRF137
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥379.2845
10:¥341.3278
25:¥322.502
50:¥312.897
100:¥238.8933
参考库存:36514
D1053UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
50:¥1,194.5569
参考库存:36519

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