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射频晶体管
HFA3101BZ参考图片

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HFA3101BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
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数量单价合计
1
¥61.7771
61.7771
10
¥55.8672
558.672
25
¥53.2456
1331.14
100
¥46.2622
4626.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
98
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥530.7384
参考库存:35713
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
1:¥437.3778
5:¥427.5355
10:¥410.868
25:¥397.5679
参考库存:2457
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥7,143.2046
参考库存:35720
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1:¥2.5312
10:¥1.6611
100:¥0.78422
500:¥0.59212
3,000:¥0.35369
参考库存:16584
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1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:17171
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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