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射频晶体管
PXAC260602FC-V1-R250参考图片

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PXAC260602FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:35,713(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥530.7384
132684.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXAC260602FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥350.8537
100:¥345.4749
250:¥337.4067
参考库存:35443
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥498.6916
5:¥483.5496
10:¥469.3342
25:¥439.9881
参考库存:35448
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥44.6463
10:¥42.1038
25:¥33.6514
50:¥31.9677
2,500:¥21.5943
参考库存:35453
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:35458
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
50:¥1,257.2606
参考库存:35463
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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