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射频晶体管
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PTFB090901FA-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥329.3385
82334.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901FA-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF175LU
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
1:¥583.2156
10:¥547.8692
25:¥535.4957
50:¥523.1222
参考库存:2736
PD55025S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:3983
NESG7030M04-EV24-A
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暂无价格
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100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
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MICROFC-SMA-60035-GEVB
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射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 6MM 35U SMA
1:¥2,535.8782
参考库存:2562

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