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射频晶体管
PTFB090901FA-V2-R250参考图片

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PTFB090901FA-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥329.3385
82334.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901FA-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09MP055GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G
1:¥160.9798
10:¥147.9961
25:¥141.4647
100:¥125.0232
500:¥107.9602
参考库存:37023
D1013UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥380.4371
100:¥377.2844
参考库存:37028
AFT09S200W02NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
1:¥798.6727
5:¥783.1578
10:¥757.3373
25:¥725.2905
250:¥650.2924
参考库存:37033
MS1000
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:37038
AGR09070EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 70Watt Gain @ P1dB 18.25dB
1:¥522.512
5:¥479.4816
10:¥430.304
25:¥381.1264
参考库存:37043

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    50万现货SKU

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