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射频晶体管
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3SK294(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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3.842
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¥2.5538
25.538
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK294
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
优势价格，3SK294(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
LET9045TR
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:40191
D2002UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE
1:¥539.9592
10:¥476.7922
25:¥423.0833
50:¥400.9466
参考库存:6780
MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:40198
MMBT5401-G
Comchip Technology
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA
1:¥2.147
10:¥1.3673
100:¥0.62263
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:23937
MRF151GB
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:40205

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