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射频晶体管
2SC5066-O,LF参考图片

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2SC5066-O,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
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3.1527
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¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5066
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240 at 10 mA at 5 V
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
30 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
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NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥822.9564
参考库存:38669

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