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射频晶体管
A2T14H450-23NR6参考图片

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A2T14H450-23NR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
150
¥822.9564
123443.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.8 dB
输出功率
93 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4L2S
封装
Reel
工作频率
1452 MHz to 1511 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
零件号别名
935316214528
单位重量
5.292 g
商品其它信息
优势价格，A2T14H450-23NR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF154
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥3,513.3508
参考库存:5009
MRFE6VP100HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:5181
T2G6001528-SG
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:5693
UML3
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 225-400MHz Pout = 3W
1:¥363.069
5:¥349.622
参考库存:38481
T2G6003028-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
1:¥1,083.444
25:¥937.0638
100:¥810.5038
参考库存:5325

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    50万现货SKU

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