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射频晶体管

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MRF154

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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
60 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
368-3
配置
Single
工作频率
80 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
1.35 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF154的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT18S260W31SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥912.8592
参考库存:35731
PXAC182908FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:35736
2SK3557-6-TB-E
ON Semiconductor
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:29970
VRF151G
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
参考库存:2337
0912-45
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥1,284.5388
2:¥1,253.6446
5:¥1,235.2821
10:¥1,217.7558
参考库存:35745

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    50万现货SKU

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