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射频晶体管
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D2201UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2201UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T14H450-23NR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T14H450-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥822.9564
参考库存:38669
MMBFJ309
ON Semiconductor / Fairchild
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1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:43963
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9225
STAC3932F
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:38678
PH3135-5S
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,530.5672
25:¥2,439.3649
参考库存:38683

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