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射频晶体管
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STAC3932F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
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数量单价合计
80
¥724.1379
57931.032
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
24.6 dB
输出功率
580 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244F
封装
Bulk
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC3932F
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S to 5 S
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
625 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格，STAC3932F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF999E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:46850
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:7182
PH3134-9L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,731.5894
参考库存:35285
MMBTH11
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:97244
ARF476FL
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:1861

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