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射频晶体管
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MRFE6VS25NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
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1
¥215.5362
215.5362
5
¥213.3101
1066.5505
10
¥198.8574
1988.574
25
¥189.953
4748.825
500
¥154.1433
77071.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
27 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 2000 MHz
系列
MRFE6VS25N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935319933528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,MRFE6VS25NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
暂无价格
参考库存:38357
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250:¥652.5976
参考库存:38362
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25:¥1,601.9558
50:¥1,564.4624
参考库存:38367
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1:¥848.3136
5:¥832.7196
10:¥795.2149
25:¥768.7051
参考库存:5081
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:4868
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