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射频晶体管
MRF652S参考图片

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MRF652S

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库存:6,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥599.352
599.352
10
¥499.46
4994.6
25
¥449.514
11237.85
50
¥399.568
19978.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
249-06
封装
Tray
工作频率
512 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF652S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:5655
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
1:¥1,051.7814
5:¥1,031.1137
10:¥983.0887
25:¥962.421
参考库存:5867
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
1:¥85.1342
10:¥78.0717
25:¥70.9979
100:¥63.8563
1,000:¥47.9459
参考库存:8759
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥705.3912
参考库存:39137
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
15,000:¥0.66896
参考库存:80626
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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