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射频晶体管

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AFT20P060-4GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V
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数量单价合计
1
¥307.0549
307.0549
5
¥291.5287
1457.6435
10
¥286.455
2864.55
25
¥259.7192
6492.98
250
¥229.9098
57477.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935322069528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，AFT20P060-4GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXAC200902FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥408.8679
250:¥408.8679
参考库存:38015
D1015UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-400MHz SE
50:¥993.7672
参考库存:38020
BFP 640FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:26399
MRFE6VP6300GSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:38027
ARF1511
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,461.0335
2:¥1,425.8453
5:¥1,405.0194
10:¥1,385.1201
参考库存:4536

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