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射频晶体管

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AGR21090EF

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库存:37,248(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥751.111
751.111
5
¥689.2548
3446.274
10
¥618.562
6185.62
25
¥547.8692
13696.73
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,AGR21090EF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥709.1541
参考库存:36462
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥3,821.8634
5:¥3,591.5016
参考库存:36467
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥464.8029
100:¥453.8984
参考库存:36472
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
暂无价格
参考库存:36477
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:4116
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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