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射频晶体管
PTVA127002EV-V1-R250参考图片

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PTVA127002EV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:35,720(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥7,143.2046
1785801.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
16 dB
输出功率
700 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-4
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA127002EV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:38105
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
50:¥1,002.988
参考库存:38110
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
1:¥1,229.9824
5:¥1,200.399
10:¥1,170.5783
25:¥1,154.2159
参考库存:4869
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:38117
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET
1:¥823.7248
5:¥808.5828
10:¥772.1629
25:¥746.4215
参考库存:38122
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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