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射频晶体管
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QPD1017

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
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数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1017的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
1:¥579.2945
10:¥511.5284
25:¥453.9662
50:¥406.5627
参考库存:37806
MRF6V2010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:11745
A2T09D400-23NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥942.6008
参考库存:37813
MMRF1305HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
1:¥635.3877
5:¥623.0933
10:¥602.5047
25:¥576.9893
50:¥569.0793
参考库存:4382
RFM00U7U(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
3,000:¥3.8872
参考库存:37820

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    50万现货SKU

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