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射频晶体管
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3SK292(TE85R,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
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4.3053
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31.979
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
26 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SMQ-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
500 MHz
系列
3SK292
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
商品其它信息
优势价格，3SK292(TE85R,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA120251EA-V2-R250
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10:¥1,756.9466
50:¥1,756.9466
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10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
参考库存:7967

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