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射频晶体管
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MRF6VP3091NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
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500
¥451.2768
225638.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
21.8 dB
输出功率
18 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
0.47 GHz to 0.86 GHz
系列
MRF6VP3091N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935319809528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，MRF6VP3091NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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