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射频晶体管
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QPD2195SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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¥1,349.8528
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20.4 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2195PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD2195SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2023-2-02
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
300:¥274.2397
参考库存:6722
MMRF1004NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:7209
A3T18H360W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥877.3546
5:¥861.2182
10:¥822.414
25:¥795.068
100:¥740.2743
150:¥678.339
参考库存:38242
A2T07D160W04SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07D160W04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥936.4536
5:¥918.3171
10:¥887.9653
25:¥850.3928
250:¥762.4788
参考库存:38247
AFT26H160-4S4R3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S
250:¥704.3177
参考库存:38252

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    50万现货SKU

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