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射频晶体管
MRF6V2010NR1参考图片

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MRF6V2010NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
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数量单价合计
1
¥194.1001
194.1001
5
¥185.5686
927.843
10
¥179.0372
1790.372
25
¥156.2112
3905.28
500
¥134.7751
67387.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
23.9 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
450 MHz
系列
MRF6V2010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 5 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.68 V
零件号别名
935309669528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格，MRF6V2010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BF886H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:20063
2SC5086-Y,LF
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:34065
MRF5812LF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:13897
2735GN-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥3,470.0944
参考库存:38585
QPD1014SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:5439

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