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射频晶体管
QPD1008L参考图片

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QPD1008L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,536.80
1536.8
25
¥1,329.332
33233.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
4 A
输出功率
162 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
127 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1008LPCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1008L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥254.1822
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1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
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100:¥10.7576
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1,000:¥7.8422
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1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:6555
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
暂无价格
参考库存:39943
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