您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
QPD2730参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

QPD2730

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:2,008(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,272.0862
1272.0862
25
¥1,110.1798
27754.495
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
210 mA
输出功率
36 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
18.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.575 GHz to 2.635 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V, - 4.75 V
零件号别名
1131813
商品其它信息
优势价格,QPD2730的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥742.8168
5:¥720.2959
10:¥699.1649
25:¥655.4452
参考库存:37108
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-175MHz SE
50:¥340.7063
100:¥329.4176
250:¥323.8015
参考库存:37113
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
15,000:¥0.64523
参考库存:36927
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
100:¥527.8908
250:¥483.7869
参考库存:37120
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:29379
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们