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射频晶体管

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BFR 360L3 E6765

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
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3.616
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25.086
100
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115.26
1,000
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883.66
15,000
¥0.64523
9678.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR360L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360L3E6765XTMA1 BFR36L3E6765XT SP000013561
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 360L3 E6765的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
1:¥6,627.45
参考库存:3013
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:36526
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:3195
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,786.4492
参考库存:36533
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
1:¥5.4579
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
3,000:¥1.8419
参考库存:18052
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    50万现货SKU

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